英特爾鈔能力啟動！豪擲165.5億美元鉅款遠勝台積電、三星

記者孫敬／編譯

外媒引用研究公司TechInsights的報告指出，英特爾去年的研發投資高達165.5億美元，研發支出年增率甚至超越了台積電與三星。

延伸閱讀：晶片回美國製造成效如何？應用材料評補貼政策邊際效益低微

三星急起直追，輝達研發支出排名居次

英特爾之所以投入如此龐大的研發資金，部分原因是為了突破18A製程節點困境。由於先前傳出良率不穩定、產能不足等問題，英特爾極需透過研發來確保最終能提供具備競爭力的解決方案。身為美國晶片製造產業的關鍵資產，英特爾必須持續維持高額的研發投入，以實現高效的終端解決方案。然而，從財報數據來看，這筆巨額支出並未換來預期回報，晶圓代工部門據傳已連續多個季度虧損。

除了英特爾之外，去年三星在研發亦砸下95億美元，相較於2023年激增了71%，這筆龐大的投資主要來自三星在2奈米等高階製程節點上的競爭，並整合如GAA（環繞式閘極）等先進技術，不過與英特爾一樣，三星也尚未產出具備預期競爭力的成果。

在研發支出排名上，僅次英特爾的是輝達，其去年研發支出達到125億美元，台積電則以63.6億美元的研發支出位居第七。這顯示出，頂級晶片製造商的半導體野心，是一場極其燒錢的豪賭。

這場晶片製造的軍備競賽，正在證明追逐2奈米等先進製程節點，需要「數百億美元」甚至更高的天文數字。

資料來源：Wccftech