輝達推出自研NVHBM記憶體 頻寬較HBM4E增逾30%、功耗降15%
記者黃仁杰/編譯
輝達(NVIDIA)公布自研高頻寬記憶體方案「NVHBM」,鎖定未來AI GPU與XPU平台,主打更高記憶體頻寬與更低功耗,以因應代理式AI、實體AI以及兆級參數模型持續推高的資料傳輸需求。

NVHBM是NVLink Fusion架構的延伸,相關設計由輝達與Amazon旗下Annapurna Labs共同推進。不同於傳統HBM將記憶體控制器放在XPU端,NVHBM選擇把記憶體控制器移入HBM的Base Die,藉此改善頻寬、能源效率以及主運算晶片的面積利用率。
記憶體控制器直接移入HBM Base Die
輝達表示,隨著AI模型規模朝兆級參數發展,記憶體頻寬正成為限制AI運算效能的重要瓶頸。
NVHBM的核心改變,就是將原本位於GPU或其他XPU上的記憶體控制器,直接整合進HBM底部的Base Die。
「AI履歷健檢」看見自己優勢:https://campaign.1111.com.tw/resume-review/
更多科技工作請上科技專區:https://techplus.1111.com.tw/
這樣的設計可以縮短部分資料傳輸路徑,同時減少XPU本身需要為記憶體控制功能保留的晶片面積。
三星、SK海力士與美光等記憶體廠,也都已開始研究在下一代HBM Base Die中整合更多控制或運算功能;高通的HBC方案則採取類似概念,但使用的是LPDDR堆疊。
頻寬提升逾30% 功耗較HBM4E低15%
輝達宣稱,NVHBM相較標準HBM4E方案,可提供超過30%的記憶體頻寬提升,同時將功耗降低約15%。
此外,由於記憶體控制器不再占用XPU主要晶粒空間,最高可釋放約25%的晶片面積,讓更多空間用於增加運算單元。
未來這套技術將導入輝達新一代GPU,而記憶體控制器本身也會採用輝達客製化設計,再整合進HBM Base Die。
介面縮窄 封裝可用矽面積最多增加80%
輝達進一步指出,相較JEDEC HBM4E標準,NVHBM設計可讓PHY與相關支援電路所占面積最多減少67%。
由於介面變窄,也能簡化Interposer中介層的線路布局,整體封裝配置中可使用的矽面積最高可增加80%。
這意味未來AI晶片不只能透過更高頻寬HBM改善資料供應,也能把原本占用GPU面積的記憶體控制功能外移,將更多晶片空間留給實際運算。
來源:wccftech
![]()





