EUV取得受限仍持續追趕 陳立武：中國晶片製造「沒落後那麼多」

記者黃仁杰／編譯

儘管美國持續限制中國取得先進極紫外光（EUV）微影設備，英特爾執行長陳立武（Lip-Bu Tan）認為，中國在晶片製造能力上與美國之間的差距，可能沒有外界想像得那麼大。

陳立武接受《日經亞洲》訪問時，除了談及英特爾重整與晶圓代工事業，也被問到美中半導體競爭，以及中國在無法取得最新EUV設備的情況下，未來能否追上先進晶片製造技術。

陳立武：今天看來沒有落後太多

針對美中半導體產業競爭，陳立武表示，無論中國或美國企業，都各自擁有不同優勢與弱點，最終能否成功，仍取決於能否提供最符合企業與客戶需求的產品。

當被問到中國是否可能在未來5至10年追上美國先進晶片製造能力時，陳立武僅簡短回應：

「以今天來看，我認為它沒有落後那麼多。」

目前中國業者因無法取得最新EUV微影設備，在持續縮小晶片線寬、改善效能與功耗方面受到限制，也因此難以直接複製台積電與英特爾等業者使用的最先進製程路線。

業界對中國追趕速度看法分歧

市場對中國半導體製造技術究竟落後多少，目前仍沒有一致答案。

馬斯克先前曾表示，中國可能在2至3年內突破部分晶片製造限制。

相較之下，蔡司（Zeiss）半導體事業負責人則認為，若聚焦最新EUV技術，中國與西方的差距可能仍達15年，但同時警告，持續性的技術限制也可能加速中國建立自主供應鏈。

中國Landau公布EUV光源原型

陳立武這番說法，正值中國Landau近期公布首款EUV光源原型。

根據公布資訊，該光源輸出功率約15W，並宣稱可持續運作100小時。

相比之下，ASML首款能用於高量產的EUV設備NXE:3400B，最初搭載150W光源，後續則可升級至250W。

250W被視為EUV進入大規模商業化的重要門檻之一，因為只有在足夠光源功率下，EUV設備才能在晶圓曝光效率與成本上，真正與既有DUV浸潤式微影設備競爭。

100小時穩定運作反而更值得注意

不過，報導指出，Landau這次原型真正受到注意的並不是15W功率，而是宣稱達到100小時的運作時間。

EUV光源需要以二氧化碳雷射高速轟擊錫液滴，每秒可達數萬甚至10萬次，才能產生EUV光。

因此，要讓光源長時間穩定運作本身就是極高難度的工程挑戰。

報導並指出，EUV光源的穩定性問題過去甚至讓ASML在定義設備運作時間時，將光源本身的運行狀態另外處理。

來源：wccftech