AI記憶體爭霸！三星電子、SK海力士開打下一代DRAM大戰

記者黃仁杰／編譯

AI資料中心帶動高頻寬記憶體（HBM）需求爆發，也讓下一代DRAM技術競賽正式升溫。根據產業消息，三星電子與SK海力士正採取截然不同的技術路線，試圖搶下未來3D DRAM標準制定權，爭奪AI記憶體市場主導地位。

消息指出，三星正嘗試將原本應用在NAND快閃記憶體上的製造概念導入DRAM，並評估導入環繞閘極電晶體（GAAFET）技術。GAAFET是目前先進邏輯晶片的重要製程架構，透過讓閘極完整包覆通道，可進一步提升電晶體效能與功耗表現。

不過，DRAM與邏輯晶片最大不同，在於DRAM必須額外整合電容來儲存資料。隨著製程持續微縮，如何在更小空間內同時整合電晶體與電容，成為下一代DRAM最關鍵的技術挑戰。

更多科技工作請上科技專區：https://techplus.1111.com.tw/

科技社群討論區：https://pei.com.tw/feed/c/tech-plus

據了解，三星目前考慮仿效NAND架構，將讀寫控制等周邊電路放置於記憶體陣列下方，藉此釋放更多空間，提升記憶體密度。

另一方面，SK海力士則選擇不同路線。消息人士指出，SK海力士正測試名為4F²架構的新技術，透過垂直堆疊電晶體，並以類似GAAFET的方式包覆閘極材料，進一步提高晶片整合密度。

業界人士指出，三星與SK海力士目前都希望率先讓自家架構成為產業標準，因為誰能先掌握下一代DRAM標準，誰就有機會在AI時代進一步擴大在HBM與高階記憶體市場的話語權。

在AI伺服器需求持續爆發下，HBM、DRAM與其他記憶體產品正面臨原材料與產能同步吃緊，也讓這場技術戰不只是製程競賽，更將影響未來全球AI供應鏈布局。

來源：wccftech