英特爾超車?執行長稱18A節點效能和發布時間將領先台積電N2

編譯/莊閔棻

英特爾18A 製程節點具有背面供電和增強的矽利用率,可能在性能和交付方面領先於台積電2 奈米(N2)技術。日前,英特爾執行長 Pat Gelsinger就聲稱,該製程有潛力超越台積電的 N2技術。

英特爾執行長稱18A節點效能和發布時間將領先台積電N2。(圖/123RF)

超越台積電

據外媒報導,英特爾的18A有新型晶體管和背面供電兩項重大創新。雖然目前與台積電 N2 的相比誰勝出還有待觀察,但Gelsinger也表示,英特爾的背面電力傳輸技術贏得廣泛讚譽,被認為在競爭中領先數年,非常強大。這項技術不但為矽提供更佳的面積效率、帶來更低的成本,同時還提供卓越的電力傳輸能力,進一步提高裝置整體性能。這將使英特爾在市場上擁有競爭優勢,領先台積電的下一代製程技術 N2。

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性能提升

英特爾的 18A 製程節點將利用 RibbonFET 電晶體架構以及新的「PowerVia」技術,預計將帶來顯著的性能提升。 PowerVia 是英特爾業界首個獨特的背面供電實施方案,透過消除晶圓正面的電源佈線需求優化訊號傳輸。據悉,相較於20A,18A效能將提高 10%。有報導稱,ARM可能是英特爾該製程的第一個客戶,並將用於行動裝置的單晶片系統(SoC),但這目前還只是謠言。

2024下半年量產

近年來,英特爾的代工服務,尤其是半導體技術,在業界採用方面並沒有取得太大成功,但現在情況似乎正在發生變化。若是發展順利,20A 製程將要在2024 年開始量產,並為將在2024 年下半年推出的Arrow Lake 客戶端CPU 提供動力,而18A 則將成為未來客戶端、資料中心和應用程式的廣泛解決方案。

參考資料:wccftechwccftech2

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