三星重啟1.4奈米製程布局 目標2029年量產迎戰台積電、英特爾
記者黃仁杰／編譯
三星電子正重新啟動1.4奈米製程（SF1.4）開發計畫，預計於2029年進入量產，希望在下一世代晶圓代工競賽中迎戰台積電A14及英特爾14A製程。
目前全球最先進製程競爭已進入1.4奈米世代。台積電預計最快明（2027）年推出A14製程，而英特爾也因市場需求強勁，加速14A製程布局，包括Apple及馬斯克推動的Terafab等大型客戶，都已被外界點名為潛在合作對象。
根據韓國媒體《The Bell》報導，三星原先規畫於2027年量產1.4奈米SF1.4製程，但公司後續調整策略，將資源優先投入2奈米（SF2）及其衍生製程SF2P，因此將SF1.4量產時程延後至2029年。
報導指出，三星認為，目前2奈米製程良率表現更成熟，後段製造流程也更加完善，因此決定先集中資源提升2奈米競爭力，再重新推進1.4奈米開發。
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據了解，三星近期已重新啟動SF1.4專案，並與國內外設備供應商合作開發下一代製程設備。
其中，首批設備將送往三星最先進半導體研發中心NRD-K（Next-generation Research & Development Korea），作為1.4奈米製程研發基地。
設備合作夥伴包括應用材料、科林研發（Lam Research）等全球半導體設備大廠。
此外，極紫外光（EUV）微影設備龍頭艾司摩爾（ASML）也已向NRD-K交付High-NA EUV曝光設備，外界預期三星將率先在1.4奈米製程導入High-NA EUV，以提升電晶體密度與製造精度。
分析指出，三星先前暫緩1.4奈米計畫，除了希望集中資源發展2奈米外，也與建廠成本有關。
由於1.4奈米需建立全新生產線，同時導入更多新一代製程設備，因此整體投資規模遠高於2奈米製程，導致公司一度選擇延後推進。
除了邏輯製程外，三星也同步布局下一世代記憶體技術。
公司預計於2030年前後量產第12代V-NAND（V12 NAND），並持續朝超過1000層堆疊NAND Flash發展，希望透過多層堆疊技術提升儲存密度。
目前全球先進製程競爭日益激烈。
英特爾日前宣布18A-P製程已正式進入風險量產（Risk Production）階段，作為18A後續強化版本，具備更佳效能與散熱表現。
另一方面，台積電除了規畫A14製程，也同步推進定位介於A14之前的A16製程節點。
市場普遍認為，若三星能順利於2029年量產SF1.4，將成為晶圓代工事業重新挑戰台積電及英特爾的重要武器。
不過，由於台積電及英特爾預計將率先一年左右推出各自的1.4奈米等級製程，因此三星未來仍須持續提升製程良率、客戶基礎及量產能力，才能在下一波先進製程競賽中取得競爭優勢。
來源：wccftech
