AI帶動記憶體需求持續爆發 SK海力士豪砸380億美元蓋2座新晶圓廠

記者彭夢竺／編譯

SK海力士宣布，將投資54兆韓元（約380億美元），興建2座全新記憶體晶圓廠，分別生產DRAM與NAND Flash，以因應AI資料中心、HBM等需求持續攀升。隨著全球記憶體供不應求、價格持續走高，SK海力士也進一步加碼產能布局，搶攻AI時代商機。

此次投資包括352兆韓元投入位於龍仁的Y2晶圓廠，以及191兆韓元投入清州的M17晶圓廠。根據SK海力士規劃，兩座新廠最快將於2028年至2029年間陸續啟用。

AI需求推升記憶體價格

近年AI資料中心快速擴張，加上輝達（NVIDIA）等AI晶片大量採用HBM，帶動全球記憶體需求持續增加，也推升價格維持高檔。

目前全球主要記憶體供應商包括SK海力士、三星電子及美光，在市場供應仍偏緊的情況下，三家公司股價近年皆受惠於記憶體景氣回升。Counterpoint Research副總裁Neil Shah表示，三星重新奪回第二季DRAM市占第一名，也促使SK海力士持續投入資本支出，擴大未來產能布局。

他指出，這波投資短期內不會立即增加產量，而是瞄準2029年之後的需求；雖然三星、SK海力士、美光及中國長鑫存儲（CXMT）都持續擴產，但整體需求成長速度仍快於新增產能，因此預估記憶體價格至少到2028年底前，都不太可能明顯回落。

龍仁主攻HBM與新世代DRAM

SK海力士表示，龍仁Y2將成為龍仁半導體園區規劃四座晶圓廠中的第二座，主要生產DRAM產品，預計2027年7月動工，2029年6月啟用首座無塵室（Cleanroom），量產HBM及其他新一代DRAM產品。

清州新廠擴充NAND產能

另一座位於清州的M17晶圓廠，則將專注於NAND Flash產品。SK海力士指出，目前NAND需求正快速增加，因此M17將於2027年2月動工，預計2028年12月完成首座無塵室建置並投入生產。在AI時代，除了技術競爭力之外，「能否在客戶需要的時間提供足夠產能」，已成為最重要的競爭優勢，因此公司是在完整評估市場需求後，才做出此次投資決策。

600兆韓元投資計畫持續推進

此次投資也是SK海力士去年公布長期投資藍圖的一部分。根據規劃，公司將於龍仁半導體園區累計投資600兆韓元，並另外投入100兆韓元擴建清州生產基地，持續擴大全球記憶體製造能力，以迎接AI帶來的新一波需求成長。

資料來源：CNBC