英特爾暗示重返記憶體市場 陳立武點名3D堆疊架構瞄準記憶體瓶頸

記者黃仁杰／編譯

英特爾可能重新踏入記憶體市場。執行長陳立武（Lip-Bu Tan）近日透露，公司正在研究新的記憶體架構，以及CPU與DRAM進一步採用3D堆疊整合的可能性，並直言隨著AI需求快速成長，記憶體已不再只是過去認知中的「大宗商品」生意，而是存在大量技術創新的市場。

英特爾其實就是從記憶體起家。公司1968年成立後，最早推出的產品便包括3101 SRAM與1103 DRAM，之後才逐步將業務重心轉向處理器。

英特爾近年最後一次大規模投入記憶體相關產品，則是與美光共同開發3D XPoint架構的Optane。不過，由於市場採用速度未達預期，加上HBM及多層3D堆疊等技術快速發展，英特爾最終於2022年終止Optane業務。

事隔4年，英特爾如今再次釋出重返記憶體領域的訊號。

其中一項值得注意的人事布局，是英特爾近期延攬SK海力士前執行長李錫熙（Seok-Hee Lee），擔任晶圓代工業務與先進封裝技術執行副總裁。李錫熙長期深耕DRAM與記憶體產業，也讓外界開始關注英特爾是否準備重新擴大記憶體布局。

除此之外，英特爾近來也傳出與合作夥伴共同開發XBM與ZAM等新型記憶體技術，試圖透過新的互連及記憶體架構，提高AI運算所需的頻寬與效率。

「AI履歷健檢」看見自己優勢：https://campaign.1111.com.tw/resume-review/

更多科技工作請上科技專區：https://techplus.1111.com.tw/

陳立武近日接受Podcast訪問時表示，目前Agentic AI及AI推論正帶動龐大CPU需求，他每天都會接到許多企業執行長來電，希望英特爾能供應更多CPU，因此公司除了持續擴充產能，也正在思考下一代CPU架構如何滿足新的運算需求。

但陳立武認為，下一階段的突破不會只來自CPU本身。

他指出，CPU與記憶體之間仍有許多可以進一步整合的空間，包括透過堆疊方式將兩者更緊密結合，以及尋找新的記憶體架構。

陳立武表示，目前市場需要的許多記憶體能力仍然不存在，因此記憶體領域其實還有相當大的創新空間。自己過去曾經抱持「不要投資記憶體」的想法，因為記憶體長期被視為高度商品化、受景氣循環影響的產業。

不過，AI發展已經改變這項產業特性。

陳立武指出，隨著新技術快速出現，記憶體市場如今已經「變得不一樣」，因此英特爾正在重新研究相關機會。

他更直接透露，研究新型記憶體架構是自己目前特別關注的項目之一。

陳立武也特別提到李錫熙加入英特爾，表示外界從這項人事安排「大概可以知道我正在想些什麼」，但目前公司還沒有準備正式公開相關計畫。

他強調，英特爾正在同時思考短期、中期與長期的技術需求。

從陳立武的說法來看，英特爾目前評估的方向可能不只是重新生產傳統DRAM，而是把CPU、先進封裝與新型記憶體架構整合在一起，解決AI運算面臨的記憶體頻寬瓶頸。

尤其AI晶片效能快速提升後，資料如何在處理器與記憶體之間高速傳輸，已成為系統效能的重要限制。HBM正是因為能提供遠高於傳統DRAM的頻寬，才成為輝達、AMD等AI加速器不可或缺的零組件。

英特爾過去也曾嘗試不同的高頻寬記憶體方案，包括Hybrid Memory Cube（HMC）及Knights Landing處理器採用的MCDRAM，但相關技術最終都未成為主流產品。

這次英特爾則可能改以新的架構重新切入。

按照目前傳出的技術時程，ZAM計畫可能落在2029年至2030年間，而XBM則可能在下一個十年初期亮相。不過，英特爾目前尚未正式公布相關產品規格與上市計畫。

英特爾目前正試圖建立從先進製程、晶圓代工到先進封裝的一站式服務能力，如果未來再加入新型記憶體技術，便可能進一步把邏輯晶片、記憶體與先進封裝整合在同一套製造生態系中。

來源：wccftech