ASML攜台積電推12吋High NA EUV光罩 2031年建試產線、2033年拚量產就緒

記者黃仁杰／台北報導

High NA EUV下一步瞄準更大的光罩尺寸。艾司摩爾（ASML）與台積電今（8）日宣布啟動產業合作，推動High NA EUV光罩由現行6吋升級至12吋，目標在2031年前建立12吋光罩試產線，並於2033年前讓相關微影系統達到量產就緒狀態。

台積電也透露，有意自2030年起，在先進製程量產中導入ASML的High NA技術。隨著先進製程持續微縮，加上AI晶片帶動電晶體架構複雜度提高，台積電預期，未來需要透過High NA EUV曝光的光罩層數將持續增加。

目前High NA EUV仍沿用半導體產業既有的6吋光罩，但受到High NA曝光範圍限制，部分晶片設計需要使用兩張光罩進行拼接曝光。ASML與台積電此次推動12吋光罩，主要就是希望解除這項限制，同時提高曝光設備生產力，進一步降低先進晶片製造成本。

High NA EUV不只是在提升微影解析度，隨著未來曝光層數增加，光罩尺寸也可能成為影響晶圓廠產能與成本的重要環節。

ASML總裁暨執行長Christophe Fouquet表示，隨著元件微縮持續推進，High NA EUV採用率預期將逐步提高。產業初期仍會沿用現行6吋光罩，之後再導入12吋光罩，以進一步提高設備生產力。

台積電董事長暨總裁魏哲家則指出，先進技術面臨的複雜問題，需要透過整個產業鏈共同合作解決，藉由整合不同環節的技術能力，降低先進解決方案大規模導入的門檻。

ASML與台積電7日在美國加州蒙特雷舉辦的BACUS國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會前公布這項合作計畫。依目前規劃，雙方將推動產業在2031年前建立12吋光罩試產線，並以2033年12吋High NA微影系統可支援先進製程量產為目標。

除ASML與台積電外，High NA EUV採用廠商、光罩業者及其他主要供應商也已表達參與意願，意味12吋光罩未來若要正式進入先進製程，將不只是微影設備本身升級，而是從光罩製造、檢測到晶圓廠端都必須同步建立新的供應鏈與製程能力。