全球首發！SK海力士成功量產HBM4效能超越標準、功耗大降4成

記者孫敬／編譯

SK海力士於12日宣布，已成功開發全球首款HBM4（第六代高頻寬記憶體）並建立量產系統。此舉意味著SK海力士已滿足包括輝達（NVIDIA）等客戶在內的效能需求，並在競爭對手之前，為準時供貨做好了準備。

SK海力士指出，新量產的HBM4記憶體採用了高達2,048個資料傳輸通道（I/O），是前一代產品的兩倍，不僅使頻寬翻倍，功耗效率也提升了超過40%。SK海力士內部人士表示：「HBM4若導入客戶系統，可將AI服務效能提升多達69%，預計將從根本上解決資料傳輸的瓶頸問題，同時大幅降低資料中心的電力成本。」

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SK海力士MR-MUF技術助攻，解決良率與散熱挑戰

在HBM4的開發過程中，SK海力士運用自家研發的先進MR-MUF製程與第五代（1b）10奈米級DRAM技術，成功將量產風險降至最低。該公司也表示，HBM4的運行速度已超越每秒10 Gbps，遠遠高於JEDEC（電子設備工程聯合委員會）設定的8Gbps標準運作速度。

MR-MUF製程是一種先進的封裝技術，透過在堆疊的半導體晶片之間注入液態保護材料，使其硬化後保護晶片之間的電路。相較於傳統每次堆疊晶片都需鋪設薄膜的方式，這種製程更有效率，散熱效果也更佳。

特別值得一提的是，SK海力士的先進MR-MUF製程相較於傳統技術，能有效降低晶片堆疊時的壓力，並能更好地控制晶片在熱傳導過程中可能發生的翹曲現象，確保HBM供應鏈中的穩定製造能力。

SK海力士AI基礎設施部門總裁Kim Ju-seon回應：「我們這次正式宣布全球率先建立HBM4量產系統，是超越AI基礎設施限制的一個象徵性轉捩點，也是解決AI時代技術挑戰的關鍵產品。我們將及時供應AI時代所需、具備頂尖品質與多樣化效能的記憶體。」

資料來源：《朝鮮日報》