華為喊出2031挑戰1.4奈米製程！瞄準追平台積電最先進節點
記者黃仁杰／編譯
儘管美國制裁持續限制中國取得先進半導體設備，華為（Huawei）仍持續加碼晶片自主研發。最新消息指出，華為計畫在2031年前推出相當於台積電1.4奈米等級的晶片製程，再次對外釋出衝刺先進製程的強烈企圖心。
華為近日除了發表新的「LogicFolding Design」技術外，華為海思與半導體業務負責人何庭波也透露，公司正朝向1.4奈米等級製程布局，目標希望在2031年前實現量產。
如果順利達成，代表華為將在先進邏輯晶片領域進一步縮短與全球頂尖晶圓代工技術的距離。
不過，外界也普遍認為這項目標難度極高。
目前全球最先進製程仍掌握在台積電手中。市場預估，台積電預計在2028年前後推進A14製程，也就是1.4奈米節點，背後投入金額高達數百億美元，並涉及多座晶圓廠同步建設。
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對華為而言，更大的挑戰在設備。
由於美國出口管制持續升級，荷蘭設備大廠 ASML 無法向中國供應最先進 EUV 曝光機，高階晶片量產能力因此受到限制。業界普遍認為，若缺乏High-NA EUV設備，要真正跨入1.4奈米製程，技術門檻相當高。
不過，中國近年也持續推動半導體設備自主化，希望降低對海外設備依賴。
市場傳出，中國本土設備業者 SiCarrier 正積極投入 EUV 替代方案研發，並持續尋求資金擴產。同時，中國自主 EUV 設備也傳出有望在近年進入測試階段，外界視為中國半導體自主供應鏈的重要進展。
分析認為，華為此次釋出2031年1.4奈米目標，除了技術宣示，也象徵中國半導體產業在制裁壓力下持續尋求突破。
不過，從技術驗證走到穩定量產，仍有巨大落差。尤其先進製程不只比拼電晶體尺寸，更牽涉材料、設備、封裝、良率與供應鏈整合能力。對華為來說，真正的挑戰恐怕不只是「做出來」，而是能否做到具商業規模與市場競爭力。
來源：wccftech
