中國修法加強晶片設計保護 提高原創門檻、重大侵權可判懲罰性賠償

記者黃仁杰／編譯

中國宣布修訂《積體電路布圖設計保護條例》，進一步強化晶片設計智慧財產權保護，提高設計登記門檻，並新增重大侵權可適用懲罰性賠償等規定，反映北京持續提升半導體核心技術保護力度。

根據中國司法部及中國國家知識產權局透過新華社發布的文件，新版條例已於7月23日由國務院總理李強簽署，將於10月15日起正式施行。

此次修法主要針對積體電路布圖設計，也就是晶片內部元件排列方式及連接結構的設計。晶片設計往往凝聚大量工程研發成果，即使是不自行生產晶片的IC設計公司，也具有高度技術與商業價值。

外界認為，新規並非出口管制措施，但顯示中國正進一步提升本土半導體技術的戰略地位，加強保護國內企業研發成果。

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近年美國持續收緊對中國半導體產業的出口限制，包括限制先進EDA晶片設計軟體及半導體製造設備出口，中國也因此加快建立自主半導體供應鏈。

《金融時報》日前曾報導，中國政府也正研議更多措施，避免具有戰略價值的本土半導體技術流向海外，甚至可能限制採用中國設計的先進晶片在海外生產。

此次公布的新規，則著重於防止晶片設計遭他人抄襲或搶先申請權利。未來申請布圖設計登記時，申請人須證明設計屬於原創成果，提交原創聲明，並清楚標示哪些內容屬於自行創作。

若主管機關認定申請內容明顯不符合原創要求，可直接駁回申請；同時，新規也建立更明確的機制，讓外界可對不應核准的登記提出異議。

北京顧問公司Ankura China Advisors董事總經理Alfredo Montufar-Helu表示，北京希望透過提高原創標準、強化登記審查及打擊惡意申請，過濾品質不足的專利與設計申請，並進一步區分真正具備技術能力的企業。

修法也同步強化侵權救濟機制。未來法院可依權利人實際損失或侵權人獲利計算賠償金額，對情節嚴重案件，更可裁定懲罰性賠償。

此外，新規也進一步明確布圖設計權利可作為授權、轉讓或融資擔保使用，並要求主導開發相關設計的機構，應依法對符合資格的研發人員提供合理獎勵與報酬。

來源：路透社