飛秒電子束的激發和探測技術，彌補了測量與電子元件開發的技術鴻溝。
不論是太陽能電池、電晶體、偵測器、感應器還是LED，都是由半導體材料製成，最新CLIMAT測量法縮短
近日，研究團隊成功使用先進的超高真空設備，並加熱碳化矽作為銦原子的基材。
隨著電晶體與積體電路已達到摩爾定律的極限，如何以可控且具成本效益的方式製造半導體裝置變得非常困難。
由於矽基半導體即將到達其物理極限，找到替代的半導體材料將成為關鍵，新型CMOS架構設計打破2D材料極
鈣鈦礦／TMD異質結構作為兩種最具潛力的光伏材料，其特性在光電應用具有巨大的潛力，特別是光電探測器與
投入大量資金苦苦追趕，中國晶片落後的原因，包括基礎科學和技術投資不足、複雜的技術挑戰、資金分配問題，
聯電（UMC）與英特爾（Intel）宣布攜手開發12奈米微影製程，且預計於2027年開始生產12nm
蘋果將成為第一家台積電未來 2 奈米製程製造晶片的客戶，並獨佔該技術，用於2025年底發布的 iPh
自AI崛起後，晶片市場需求便不斷提高，更帶動超微（AMD）、輝達（NVIDIA）等晶片龍頭的巨大成長
