中國記憶體技術再追趕！長鑫存儲第五代DRAM量產 晶圓產出至少增50%

記者彭夢竺／編譯

中國記憶體晶片大廠CXMT（長鑫存儲）宣布，第五代DRAM技術平台已正式進入量產，新平台不僅能讓記憶體晶片擁有更高容量，同時降低成本與功耗，單片晶圓可生產的晶片裸晶數量更比上一代增加至少50％，進一步縮小與全球主要記憶體大廠的技術差距。

DRAM是手機、電腦及其他電子裝置執行應用程式時使用的短期工作記憶體。目前全球市場主要由Samsung Electronics（三星電子）、SK Hynix（SK海力士）與Micron Technology（美光科技）等業者占據，長鑫存儲最新技術進展，也讓中國記憶體產業在全球市場的競爭力再次受到關注。

第五代DRAM量產 單片晶圓產出增至少50％

長鑫存儲表示，第五代平台透過縮小晶片內部儲存資料結構之間的距離，讓單顆晶片可以容納更多記憶體，同時也能在同一片矽晶圓上製造更多晶片。

長鑫存儲指出，新平台已將晶片資料儲存區域的關鍵特徵間距縮小至11.95奈米，相當於約120億分之一公尺。

製程方面，長鑫存儲採用「四重圖形化」技術，透過重複多道製造步驟，製作出更加精細的電路圖形。長鑫存儲副總裁兼市場中心負責人羅曉東在2026世界製造業大會表示，目前公司的製程能力，已經可以與業界最先進的量產節點相提並論。

新LPDDR5X容量大增50％ 已正式量產

除了第五代DRAM平台，長鑫存儲也同步發表兩款採用新平台製造的24Gb LPDDR5X產品。

LPDDR5X是一種低功耗DRAM，主要應用於智慧型手機及其他可攜式電子裝置。長鑫存儲表示，這兩款產品相較於上一代同級產品，單顆可儲存的資料量增加50％，目前均已進入量產，並提供兩種不同封裝形式，以因應不同智慧型手機與行動裝置設計。

在生產效率方面，以8Gb晶片作為比較基準，第五代平台每片晶圓可製造的晶片裸晶總數，至少比第四代平台增加50％。

不過，這項數字指的是排除瑕疵品之前，一片晶圓理論上可以切割出的晶片裸晶數量，並非代表晶片最終良率提高50％。

中國設備商也參與開發 降低對海外技術依賴

長鑫存儲表示，第五代平台開發過程運用了電腦模擬技術，並與中國本土半導體設備製造商合作，針對部分關鍵生產步驟共同進行開發。

這項進展也正值中國持續推動半導體自主化之際。自2022年以來，美國出口管制已限制中國取得部分先進晶片製造設備及相關軟體，北京則持續尋求降低對海外半導體技術的依賴。

隨著第五代DRAM技術平台進入量產，加上24Gb LPDDR5X產品正式投入生產，長鑫存儲正在進一步提升記憶體容量與晶圓生產效率，也讓中國與三星電子、SK海力士及美光科技等全球記憶體大廠之間的競爭持續升溫。

資料來源：路透社