三星朝千層NAND再跨一步 首度做出900層V-NAND原型
記者黃仁杰／編譯
三星電子在NAND快閃記憶體技術再往前推進一步。韓媒最新報導指出，三星已成功完成首款900層V-NAND原型開發，距離外界期待已久的「1000層NAND」又更近一步，也讓全球儲存晶片競賽再度升溫。
根據《ETNews》報導，三星這次採用名為CMB（Cell Multi-Bonding）的新技術，將兩片各450層的記憶體堆疊晶圓接合成單一裝置，成功打造出900層V-NAND。這也是三星在高層數NAND發展上的重大突破。
隨著堆疊層數持續拉高，NAND容量與儲存密度也將同步提升，可望進一步應用在SSD、資料中心、AI伺服器，以及筆電、手機等各式裝置。尤其在AI時代，大量資料讀寫需求快速成長，也讓高容量NAND成為各家記憶體廠兵家必爭之地。
不過，要把 NAND 疊到接近千層並不容易。
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報導指出，三星在開發過程中最大的挑戰之一，就是晶圓堆疊後容易變形彎曲（Wafer Warping），這會直接影響良率與製造穩定度。三星透過導入新的Upper Chuck設計改善製程壓力控制，同時也利用Overlay Correction校正技術降低對位誤差，才順利完成900層結構驗證。
目前全球 NAND 技術競賽仍相當激烈。
SK海力士目前仍在層數競賽上暫時領先，已率先量產321層NAND，並持續推進400層技術。三星則加速追趕，希望透過Cell Multi-Bonding技術，在超高層數NAND上取得優勢。
另一邊，中國長江存儲（YMTC）近年也加快追趕腳步，目前已推出232層與294層NAND產品，並持續擴建新廠、擴充晶圓產能，希望在全球NAND市場進一步縮小與三星、美光、SK海力士的差距。
業界普遍認為，900層仍屬原型驗證階段，距離真正大規模商用還有一段時間，但已替千層NAND奠定技術基礎。
依照三星先前規劃，1000層V-NAND目標將落在2030年前後問世，而400層以上產品則預計在未來幾年陸續推出。
來源：wccftech
