三星傳採台積電3奈米製程 為輝達下一代NVHBM打造基礎裸晶
記者黃仁杰／編譯
三星電子傳出將在輝達下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）導入台積電製程。據《首爾經濟日報》報導，三星將使用台積電3奈米製程生產輝達NVHBM所需的基礎裸晶（Base Die），若成真，也將是三星首次在HBM製造階段與台積電合作。
報導引述產業消息人士指出，輝達已要求三星、SK海力士與美光，NVHBM的Base Die統一採用台積電製程，DRAM核心裸晶則使用第六代DRAM技術。
輝達要求三大HBM供應商採台積電製程
輝達今年8月公布NVHBM，主要特色是在Base Die中整合輝達客製化記憶體控制器，希望讓不同記憶體供應商都能採用較一致的實作方式。
根據報導，輝達因此要求三星、SK海力士與美光，在NVHBM的Base Die部分導入台積電製程。
三星經過內部評估後，已接受輝達提出的相關要求。
這也代表三星即使本身擁有晶圓代工事業，為了供應輝達下一代客製化HBM，仍將採用台積電3奈米製程生產Base Die。
標準HBM仍維持三星自家生產
不過，三星並不打算全面改變現有HBM生產模式。
《首爾經濟日報》指出，三星仍計畫針對標準型HBM，以及供應其他客戶的客製化HBM產品，維持自家生產模式。
也就是說，此次採用台積電製程主要針對輝達NVHBM需求，而非三星所有HBM產品。
台積電產能不足時 三星也評估自家代工
報導同時指出，三星也正在評估另一種可能性。
如果未來NVHBM需求超過台積電可提供的產能，三星可能考慮使用旗下晶圓代工事業生產NVHBM Base Die。
不過，目前相關安排仍屬評估階段。
若三星最終正式採用台積電3奈米製程供應輝達NVHBM，也將形成相當特殊的供應鏈關係。三星一方面與台積電在先進晶圓代工市場競爭，另一方面又可能在輝達下一代HBM產品上成為台積電的製程客戶。
來源：路透社
