台積電傳評估切入3D DRAM 應輝達要求布局先進記憶體
記者黃仁杰／編譯
台積電傳出正評估跨足先進記憶體製造，希望進一步擴大在AI硬體市場的布局。據《The Information》引述兩名直接知情人士消息，台積電近期已應最大客戶輝達要求，開始規畫一種名為3D DRAM的先進記憶體技術。
目前台積電與輝達皆未回應相關消息。
傳應輝達要求規畫3D DRAM
DRAM主要用於裝置中暫時儲存資料，而3D DRAM則是把記憶體單元由傳統平面排列改為垂直堆疊，希望藉此提高容量與密度。
如果台積電正式投入相關技術，將代表公司業務進一步從邏輯晶片製造與先進封裝，延伸至先進記憶體領域。
這項計畫傳由台積電副總經理徐國晉主導，他目前負責公司先進封裝相關業務。
不排除新建廠房或收購既有晶圓廠
台積電可能為先進記憶體新建專用晶圓廠，但目前尚不清楚實際量產時間。
另一個評估中的選項，是收購既有晶圓廠，再轉換為記憶體生產用途。
這種模式類似美光今年採取的策略，透過買下既有晶圓廠並改造成DRAM產線，以更快增加記憶體供應能力。
AI需求推升記憶體缺口
台積電評估先進記憶體之際，全球記憶體市場正面臨由AI需求帶動的嚴重供應短缺。
AI伺服器與大型模型需要大量高效能記憶體，使DRAM等產品價格快速上漲，也迫使晶片設計公司尋找更多供應來源。
對輝達而言，若未來AI加速器持續提高運算能力，記憶體頻寬、容量與供應能力也將成為整體系統擴張的重要限制。
在這種情況下，要求台積電評估3D DRAM，也反映AI晶片供應鏈正在從單純追求運算晶片效能，進一步延伸至記憶體與封裝整合。
若切入將直接面對三星、SK海力士與美光
目前全球DRAM市場主要由三星電子、SK海力士與美光主導。
如果台積電最終正式投入先進記憶體量產，也意味公司將首次在這一領域與三大記憶體廠正面競爭。
不過，目前相關計畫仍處於評估與規畫階段，台積電尚未正式宣布進軍3D DRAM，也沒有公布可能的產能、投資金額與量產時間。
若計畫成形，台積電在AI供應鏈中的角色也可能進一步擴大，從先進邏輯製程、CoWoS等先進封裝，一路延伸至先進記憶體製造。
來源：路透社
