台積電進階新工藝 緊接N2之後投入生產

編譯/施毓萱

台積電(TSMC)將從2025年開始著手大規模生產其2奈米半導體工藝。此外,這些傳言表明,台積電還在計劃一個名為N2P的新2奈米節點,而這將在N2之後投入生產。過往台積電也對目前的3奈米半導體技術使用了類似的命名N3P。這是N3的增強版,同時也代表生產工藝的完善程度。

上述消息都建立在過去的聲明上,且大規模生產將交給台積電位於新竹寶山的工廠。另外,目前雖然台積電已經確認了N3的高性能變體(variant) N3P,但還沒有提供N2工藝節點的相關細節。不過據說N2P將使用晶背電源供應(back-side power delivery, BSPD)來提高性能。

台積電(TSMC)將從2025年開始著手大規模生產其2奈米半導體工藝。此外,這些傳言表明,台積電還在計劃一個名為N2P的新2奈米節點,而這將在N2之後投入生產。示意圖:RF123

實際上,半導體製造囊括各式複雜的專業技術。雖然列印電晶體(transistor)方面是最受人關注的領域,但其他領域其實也會阻礙製造商提高晶片性能。

其中有一領域是關於矽片上的電線。電晶體必須連接到電源上,而由於電晶體尺寸小,這代表其連接線必須同樣小。新工藝技術所遇到的重要限制就是這些電線位置。工藝的第一次更新通常會看到電線被放置在電晶體的上方,而後來的幾代則將其放置在下方。

後來的工藝就是上述的BSPD,它是矽穿孔(through silicon vias, TSVs)的延伸。TSV是穿過晶圓的連法,所以可以讓多個半導體相互堆疊在一起。而晶背電源供應網路(back-side power deliver network, BSPDN)涉及到將晶圓相互黏合,以及提升電能效率。

資料來源:WCCFtech

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