美光再示警記憶體缺貨恐一路燒至2026年後 HBM、DRAM、NAND全線吃緊

記者黃仁杰／編譯

AI熱潮持續推升全球記憶體需求，美國記憶體大廠美光（Micron）最新釋出警訊指出，HBM、DRAM與NAND供應吃緊的情況，恐怕不只延續到2026年，甚至可能再拉長。

根據摩根大通（JPMorgan）在最新投資報告中轉述，美光管理層於波士頓舉行的全球科技媒體與通訊大會上表示，隨著AI模型對高效能記憶體需求快速升溫，記憶體市場供給短缺仍看不到明顯緩解跡象。

美光認為，HBM、DRAM與NAND擴產難度都相當高，不僅牽涉製程升級，也受到產能與設備限制，因此供應緊繃將持續比市場原先預期更久。

市場分析指出，這波記憶體吃緊，核心關鍵來自AI。

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由於大型AI模型訓練與推論對頻寬需求暴增，HBM已成為AI GPU最關鍵零組件之一，而最新世代HBM容量越做越大，單顆晶片面積也同步放大，導致產出速度難以快速提升。

另一方面，DRAM製程也正往更先進節點推進，美光提到，旗下最新的「1-gamma」製程將成為公司歷來出貨規模最大的DRAM節點，並持續導入EUV極紫外光微影技術量產。

值得注意的是，美光也首度透露HBM4最新進度。美光表示，在AI需求帶動下，HBM4的量產拉升速度將是HBM3的兩倍，推進節奏明顯加快。下一代HBM4E預計在2027年開始進入量產爬坡階段，首批樣品將採用1-gamma DRAM顆粒。

除了HBM外，美光也指出，AI模型的Context Window持續變長，以及推論工作負載快速增加，也帶動企業對SSD需求同步升溫，讓公司在資料中心SSD市場持續擴大市占。

美光強調，目前正與客戶共同開發客製化儲存產品，而非提供標準規格產品，希望更貼近AI資料中心與雲端業者的實際需求。

來源：wccftech