三星發表新一代AI記憶體技術 BV-NAND密度提升58%

記者黃仁杰／編譯

三星電子（Samsung Electronics）4日發表新一代人工智慧（AI）記憶體技術，希望在快速成長的AI市場中，進一步鞏固其記憶體晶片業務競爭力。

三星選在美國加州聖克拉拉舉行的「未來記憶體與儲存技術大會」（Future of Memory and Storage，FMS），展示V10 Bonding V-NAND、又稱BV-NAND的原型產品。這款晶片採用超過400層的堆疊設計，並導入新的晶圓鍵合架構，以提高儲存密度與運作效能。

隨著AI工作負載從大型語言模型訓練，進一步擴展至回應使用者提問的推論應用，市場對大容量NAND記憶體的需求也隨之增加。NAND快閃記憶體主要用於儲存照片、影片及應用程式等資料，廣泛應用於智慧型手機等裝置。

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三星表示，BV-NAND的記憶體密度相較前一代V9 NAND提高約58%，同時改善讀取、寫入及輸入輸出效能，以因應AI系統對更大容量及更高能源效率儲存設備的需求。

三星也展示其所稱業界首款zHBM及zNAND-O架構概念模型，說明公司對下一代3D記憶體技術的布局。這類技術透過垂直堆疊記憶體單元，在有限空間內容納更多資料。

傳統高頻寬記憶體（HBM）通常配置在AI處理器旁邊，三星提出的zHBM則將記憶體垂直堆疊在AI加速器上方，藉此縮短資料傳輸距離，在提高頻寬的同時改善能源使用效率。

三星指出，其晶圓鍵合技術可讓記憶體密度達到傳統HBM5的10倍以上，能源效率提高至3倍，並將熱阻降低超過一半。

儘管部分投資人擔心，中國智慧型手機需求轉弱後，可能影響記憶體晶片的長期需求，但分析師認為，AI市場帶來的需求仍然相當強勁。

三星上周公布，與客戶簽訂的長期協議，未來可能占公司記憶體銷售額的60%至70%，也凸顯AI相關需求的強度。

花旗分析師上月在報告中指出，儘管市場擔心終端需求放緩，但DRAM及NAND供應鏈的庫存水位，仍遠低於歷史平均水準。

來源：路透社