NAND僅落後1年、DRAM約2年 南韓半導體協會：中國記憶體技術差距快速縮小

記者黃仁杰／編譯

中國記憶體產業與韓國、美國等主要業者之間的技術差距正在快速縮小。韓國半導體產業協會（Korea Semiconductor Industry Association）最新評估顯示，中國在HBM、DRAM與NAND Flash領域的落後幅度，已縮小至約1至3年。

《Korea JoongAng Daily》引述韓國半導體產業協會表示，目前韓國與中國在記憶體晶片上的技術差距，HBM約為3年、DRAM約2年，NAND Flash則只剩約1年。

相較之下，中國記憶體產業過去與領先業者之間的技術差距，一度約達5年。

長江存儲NAND差距縮至約1年

NAND Flash方面，三星電子與SK海力士於2025年開始生產300層NAND時，中國長江存儲（YMTC）當時已推進至約270層。

預計到了2027年，長江存儲將進一步跨入400層NAND，與三星、SK海力士之間的技術差距可能縮小至約1年。

長鑫DDR5落後約2年 LPDDR6也已開始生產

DRAM方面，三星與SK海力士於2023年開始生產DDR5，而長鑫存儲（CXMT）則到2025年才開始生產DDR5模組，兩者技術差距約為2年。

不過，長鑫目前已量產LPDDR5X，並開始生產新一代LPDDR6。

HBM方面，長鑫與領先業者之間的差距目前約為3年。

長鑫已開始試產HBM3E，但目前良率據傳僅約25%，同時在用於垂直連接記憶體堆疊的矽穿孔（TSV）技術上仍面臨挑戰。

長鑫、長江存儲合作推進HBM3E

長鑫目前也利用長江存儲的X-Stacking 3D NAND技術，在G4製程上開發HBM3E。

不同於完全依賴傳統micro-bump連接堆疊DRAM晶粒，相關製程導入銅對銅混合鍵合（copper-to-copper hybrid bonding），直接連接晶圓間的銅互連，縮短堆疊DRAM層之間的電路路徑。

這種架構也讓長鑫與長江存儲在缺乏EUV極紫外光微影設備的情況下，仍能推進較先進的HBM架構。

中國國產DUV設備也開始切入

長鑫今年也預計取得上海愛芯元與宇量昇等中國國產DUV深紫外光微影設備。

不過，中國DUV設備目前仍面臨部分技術瓶頸，包括投影鏡頭與光源等關鍵零組件。

另一方面，長鑫也正積極擴充產能，預計今年底透過3座12吋DRAM晶圓廠，把月產能提高至30萬片，每座廠月產能約10萬片。

到2026年底，長鑫另規畫約每月5萬片、專門用於HBM的產能。

長鑫月產能未來拚60萬片

長鑫目前還在上海與合肥興建兩座新廠，完工後整體月產能可能進一步提高至60萬片。

照目前擴產進度，長鑫甚至有機會在2030年前後於產量上超越美光。

為突破DRAM微縮限制，長鑫也傳出導入High-k Metal Gate（HKMG，高介電常數金屬閘極）技術，以氧化鉿（HfO₂）等材料取代傳統矽基絕緣材料。

HKMG有助降低漏電與熱能損失，同時提高能源效率與電晶體切換速度。

目前長鑫據傳已將HKMG導入G4 DRAM製程與LPDDR5X產品。G4普遍被認為接近1z節點，也意味長鑫可能準備進一步往1a節點推進。

此外，公司也已著手開發下一代15奈米G5 DRAM製程。

長江存儲2028年月產能上看50萬片

長江存儲方面，預計2027年初月產能可達30萬片，其中部分產能也將投入LPDDR相關產品。

待兩座新廠於2027年陸續投產後，長江存儲總月產能預計在2028年提升至45萬至50萬片。

相比之下，三星NAND產能預計到2027年底約為每月35萬片。

隨著長鑫與長江存儲持續推進製程、封裝與產能擴張，中國在DRAM、HBM與NAND Flash領域與全球主要記憶體業者之間的差距，也正在明顯縮小。

來源：wccftech